Infineon Technologies AUIRFZ24NS

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 45W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68A

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant