Infineon Technologies AUIRL7766M2TR

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric M4

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 62.5W Tc

Turn Off Delay Time

120 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5305pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 4.5V

上升时间

24ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

51A

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

204A

雪崩能量等级（Eas）

237 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant