Infineon Technologies AUIRLR3114Z

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.9m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 4.5V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

42A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

500A

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant