Infineon Technologies AUIRLU3110Z

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 100μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 38A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3980pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 4.5V

上升时间

110ns

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

63A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250A

栅源电压

1 V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准