Infineon Technologies BCR 148W H6433
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BCR 148W H6433
1211-BCR 148W H6433
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-70, SOT-323
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
1最小包装量--
BCR 148W H6433详情
Infineon Technologies BCR 148W H6433重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
基本部件号
BCR148
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
电阻基(R1)
47 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
BCR 148W H6433拓展信息
Infineon Technologies
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