注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.037039
500
¥0.762526
1000
¥0.635441
2000
¥0.582967
5000
¥0.544835
10000
¥0.506822
15000
¥0.490156
50000
¥0.481965
Infineon Technologies BCR158E6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BCR158E6327HTSA1
1211-BCR158E6327HTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR158E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BCR158E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
hFEMin
70
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
200mW
额定电流
-100mA
基本部件号
BCR158
极性
PNP
元素配置
Single
功率 - 最大
200mW
无卤素
不含卤素
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
最大击穿电压
50V
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
2.2 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47 kOhms
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR158E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。