BCR166E6433HTMA1
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Infineon Technologies BCR166E6433HTMA1

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型号

BCR166E6433HTMA1

utmel 编号

1211-BCR166E6433HTMA1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

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BCR166E6433HTMA1 Infineon Technologies Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

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BCR166E6433HTMA1详情

Infineon Technologies BCR166E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BCR166

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    70 @ 5mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 转换频率

    160MHz

  • 频率转换

    160MHz

  • 电阻基(R1)

    4.7 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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