Infineon Technologies BCR 183 B6327
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BCR 183 B6327
1211-BCR 183 B6327
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
1最小包装量--
BCR 183 B6327详情
Infineon Technologies BCR 183 B6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCR183
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
BCR 183 B6327拓展信息
Infineon Technologies
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