Infineon Technologies BCR185E6433HTMA1
- 收藏
- 对比
BCR185E6433HTMA1
1211-BCR185E6433HTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
1最小包装量--
BCR185E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BCR185E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCR185
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR185E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。