Infineon Technologies BCR503E6393HTSA1
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BCR503E6393HTSA1
1211-BCR503E6393HTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS PREBIAS PNP SOT23
1最小包装量--
BCR503E6393HTSA1详情
Infineon Technologies BCR503E6393HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23-3
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
330mW
功率 - 最大
330mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
100MHz
电阻基(R1)
2.2 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
2.2 kOhms
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCR503E6393HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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