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BGA615L7E6327

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Infineon Technologies BGA615L7E6327

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型号

BGA615L7E6327

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BGA615L7E6327

商品类别

射频放大器

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BGA615L7E6327 datasheet pdf and RF Amplifiers product details from Infineon Technologies stock available at utmel

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BGA615L7E6327详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BGA615L7E6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 触点镀层

    Gold

  • 引脚数

    7

  • Power Dissipation (Max)

    36mW

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -30°C

  • 结构

    COMPONENT

  • 频率

    1.575GHz

  • 工作电源电压

    3.2V

  • 通道数量

    1

  • 工作电源电流

    5.6mA

  • 电源电流

    5.6mA

  • 增益

    18 dB

  • 射频/微波器件类型

    窄带中功率

  • 特性阻抗

    50Ohm

  • 噪声图

    0.9 dB

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 器件厚度

    400μm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BGA615L7E6327.

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BGA615L7E6327相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

BGB741L7ESDE6327XTSA1

型号：BGB741L7ESDE6327XTSA1

封装：6-XFDFN Exposed Pad

品牌：Infineon Technologies

库存：107

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型号：BGA824N6E6327XTSA1

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