Infineon Technologies BGA711N7E6327XTSA1
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BGA711N7E6327XTSA1
1211-BGA711N7E6327XTSA1
射频放大器
6-XFDFN Exposed Pad
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RF Amplifier 3G/3.5G/4GSingleBand SiGe Bipolar LNA
1最小包装量--
BGA711N7E6327XTSA1详情
Infineon Technologies BGA711N7E6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
7
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-30°C
HTS代码
8542.39.00.01
电压 - 供电
3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.8V
端子间距
0.5mm
频率
1.8GHz~2.7GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-N6
温度等级
OTHER
工作电源电流
10mA
无卤素
无卤素
增益
17dB
通信IC类型
电信电路
噪声图
1.1dB
连续集电极电流
3.6mA
P1dB
-8dBm
长度
2mm
座位高度(最大)
0.4mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BGA711N7E6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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