BGA711N7E6327XTSA1
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Infineon Technologies BGA711N7E6327XTSA1

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型号

BGA711N7E6327XTSA1

utmel 编号

1211-BGA711N7E6327XTSA1

商品类别

射频放大器

封装

6-XFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amplifier 3G/3.5G/4GSingleBand SiGe Bipolar LNA

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BGA711N7E6327XTSA1
BGA711N7E6327XTSA1 Infineon Technologies RF Amplifier 3G/3.5G/4GSingleBand SiGe Bipolar LNA

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BGA711N7E6327XTSA1详情

Infineon Technologies BGA711N7E6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-XFDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    7

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -30°C

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 电压 - 供电

    3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.8V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 频率

    1.8GHz~2.7GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N6

  • 温度等级

    OTHER

  • 工作电源电流

    10mA

  • 无卤素

    无卤素

  • 增益

    17dB

  • 通信IC类型

    电信电路

  • 噪声图

    1.1dB

  • 连续集电极电流

    3.6mA

  • P1dB

    -8dBm

  • 长度

    2mm

  • 座位高度(最大)

    0.4mm

  • 宽度

    1.3mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Infineon Technologies BGA711N7E6327XTSA1.

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BGA711N7E6327XTSA1相似的参数规格。

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BGA711N7E6327XTSA1拓展信息

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