Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327XTSA1
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BGB717L7ESDE6327XTSA1
1211-BGB717L7ESDE6327XTSA1
射频放大器
6-XFDFN Exposed Pad
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RF Amp Chip Single GP 108MHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R
1最小包装量--
BGB717L7ESDE6327XTSA1详情
Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
引脚数
6
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
100mW
电压 - 供电
1.8V~4V
结构
COMPONENT
频率
76MHz~108MHz
工作电源电压
3V
通道数量
1
测试频率
100MHz
工作电源电流
3mA
功率耗散
100mW
无卤素
无卤素
增益
12dB
射频/微波器件类型
窄带低功耗
射频类型
FM
特性阻抗
50Ohm
噪声图
1dB
P1dB
-5.5dBm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BGB717L7ESDE6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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