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Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327XTSA1

Name: BGB717L7ESDE6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BGB717L7ESDE6327XTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BGB717L7ESDE6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BGB717L7ESDE6327XTSA1

商品类别

射频放大器

封装

6-XFDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amp Chip Single GP 108MHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R

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1最小包装量--

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BGB717L7ESDE6327XTSA1 Infineon Technologies RF Amp Chip Single GP 108MHz 4V 6-Pin TSLP EP T/R

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BGB717L7ESDE6327XTSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad
引脚数

6
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2010
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

100mW
电压 - 供电

1.8V~4V
结构

COMPONENT
频率

76MHz~108MHz
工作电源电压

3V
通道数量

1
测试频率

100MHz
工作电源电流

3mA
功率耗散

100mW
无卤素

无卤素
增益

12dB
射频/微波器件类型

窄带低功耗
射频类型

FM
特性阻抗

50Ohm
噪声图

1dB
P1dB

-5.5dBm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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技术文档: Infineon Technologies BGB717L7ESDE6327XTSA1.

数据表 :
BGB717L7ESD pid_733795_bgb717l7esde6327xtsa1-infineon-datasheet-62293460.pdf
PCN封装 :
Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014
其他相关文件 :
Part Number Guide
PCN 报废/ EOL :
BGB 717L7ESD E6327 Device 03/Feb/2015
冲突矿产声明 :
Infineon-company-51.pdf

BGB717L7ESDE6327XTSA1拓展信息

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