BGM781N11E6327
BGM781N11E6327

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies BGM781N11E6327

  • 收藏
  • 对比

型号

BGM781N11E6327

utmel 编号

1211-BGM781N11E6327

商品类别

射频放大器

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amplifier RF SILICON MMIC

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
BGM781N11E6327
BGM781N11E6327 Infineon Technologies RF Amplifier RF SILICON MMIC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:5804

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BGM781N11E6327详情

Infineon Technologies BGM781N11E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Module

  • 引脚数

    10

  • Power Dissipation (Max)

    90mW

  • 终止次数

    11

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 频率

    1.57542GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N11

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电流

    25mA

  • 通信IC类型

    电信电路

  • 噪声图

    1.7 dB

  • 长度

    2.5mm

  • 座位高度(最大)

    0.77mm

  • 宽度

    2.5mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BGM781N11E6327.

BGM781N11E6327拓展信息

BGA7M1N6E6327XTSA1
BGA7M1N6E6327XTSA1

Infineon Technologies

BGM15HA12E6327XTSA1
BGM15HA12E6327XTSA1

Infineon Technologies

BGA416E6327HTSA1
BGA416E6327HTSA1

Infineon Technologies

BGA427H6327XTSA1
BGA427H6327XTSA1

Infineon Technologies

BGA622H6820XTSA1
BGA622H6820XTSA1

Infineon Technologies

BGA420H6327XTSA1
BGA420H6327XTSA1

Infineon Technologies

BGA7H1N6E6327XTSA1
BGA7H1N6E6327XTSA1

Infineon Technologies

BGM15LA12E6327XTSA1
BGM15LA12E6327XTSA1

Infineon Technologies

BGA715N7E6327XTSA2
BGA715N7E6327XTSA2

Infineon Technologies

BGA7L1N6E6327XTSA1
BGA7L1N6E6327XTSA1

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z