Infineon Technologies BGM781N11E6327
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BGM781N11E6327
1211-BGM781N11E6327
射频放大器
Module
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RF Amplifier RF SILICON MMIC
--最小包装量--
BGM781N11E6327详情
Infineon Technologies BGM781N11E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
Module
引脚数
10
Power Dissipation (Max)
90mW
终止次数
11
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
频率
1.57542GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N11
工作电源电压
1.8V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流
25mA
通信IC类型
电信电路
噪声图
1.7 dB
长度
2.5mm
座位高度(最大)
0.77mm
宽度
2.5mm
RoHS状态
符合RoHS标准
BGM781N11E6327拓展信息
Infineon Technologies
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