Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

39A Ta 180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

系列

OptiMOS™

已出版

2009

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-MBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

169nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

39A

漏极-源极导通最大电阻

0.0012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准