Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Silver

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

36A Ta 180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

系列

OptiMOS™

已出版

2011

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-MBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

142nC @ 10V

上升时间

6.4ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

180A

漏极-源极导通最大电阻

0.0015Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅