Infineon Technologies BSC017N04NSGATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 139W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 85μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.7m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8800pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

108nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0017Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

295 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant