Infineon Technologies BSC080P03LSGAUMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 89W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 30A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6140pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

122.4nC @ 10V

上升时间

87ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大双电源电压

-30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅