Infineon Technologies BSC205N10LS G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.4A Ta 45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

76W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20.5m Ω @ 45A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 43μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.0205Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准