Infineon Technologies BSL303SPEH6327XTSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 6.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 30μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1401pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6.3A

最大双电源电压

-30V

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25.2A

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅