Infineon Technologies BSL606SNH6327XTSA1
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BSL606SNH6327XTSA1
1211-BSL606SNH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
--最小包装量--
BSL606SNH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL606SNH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 15μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 4.5A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
657pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.6nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL606SNH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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