Infineon Technologies BSL802SNH6327XTSA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 2.5V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

0.75V @ 30μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 7.5A, 2.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1347pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 2.5V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

7.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

77 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅