Infineon Technologies BSO051N03MSGXUMA1

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-DSO-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Power Dissipation (Max)

2.5W

Continuous Drain Current Id

14

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSO051N03MSGXUMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

13 A

操作温度

-55°C ~ 150°C

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.56

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.1mOhm @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200 pF @ 15 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0051 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-