Infineon Technologies BSO072N03S
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BSO072N03S
1211-BSO072N03S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
--最小包装量--
BSO072N03S详情
Infineon Technologies BSO072N03S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.56W Ta
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.56W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 45μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3230pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 5V
上升时间
5.4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
12A
JEDEC-95代码
MS-012AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
160 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSO072N03S拓展信息
Infineon Technologies
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