Infineon Technologies BSP129E6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

350mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2001

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

240V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

280mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 350mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 108μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

108pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.7nC @ 5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

350mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

20Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.6A

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅