注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.36933
10
¥4.122012
100
¥3.888693
500
¥3.668576
1000
¥3.46092
Infineon Technologies BSP129E6327T
- 收藏
- 对比
BSP129E6327T
1211-BSP129E6327T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP129E6327T详情
Infineon Technologies BSP129E6327T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2001
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
240V
额定电流
200mA
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 108μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
108pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.7nC @ 5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
240V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
350mA
输入电容
108pF
场效应管特性
耗尽模式
最大rds
6 Ω
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
BSP129E6327T拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。