BSP129E6327T
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Infineon Technologies BSP129E6327T

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型号

BSP129E6327T

utmel 编号

1211-BSP129E6327T

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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BSP129E6327T
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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BSP129E6327T详情

Infineon Technologies BSP129E6327T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    350mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.8W Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SIPMOS®

  • 已出版

    2001

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    240V

  • 额定电流

    200mA

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6Ohm @ 350mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 108μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    108pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5.7nC @ 5V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    240V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    350mA

  • 输入电容

    108pF

  • 场效应管特性

    耗尽模式

  • 最大rds

    6 Ω

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    无铅

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BSP129E6327T拓展信息

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