Infineon Technologies BSP299 E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

400mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2007

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

255

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 400mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.6A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant