Infineon Technologies BSP320SH6433XTMA1

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Tj

已出版

2017

系列

SIPMOS®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 20μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 7V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11.6A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant