Infineon Technologies BSP372 E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2007

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

310m Ω @ 1.7A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±14V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.31Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.8A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant