Infineon Technologies BSP603S2LNT
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BSP603S2LNT
1211-BSP603S2LNT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
BSP603S2LNT详情
Infineon Technologies BSP603S2LNT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4-21
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
33mOhm @ 2.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1390 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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BSP603S2LNT拓展信息
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