BSP603S2LNT
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Infineon Technologies BSP603S2LNT

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型号

BSP603S2LNT

utmel 编号

1211-BSP603S2LNT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

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1最小包装量--

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BSP603S2LNT
BSP603S2LNT Infineon Technologies N-CHANNEL POWER MOSFET

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BSP603S2LNT详情

Infineon Technologies BSP603S2LNT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-4-21

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.2A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.8W (Ta)

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    33mOhm @ 2.6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1390 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    42 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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技术文档: Infineon Technologies BSP603S2LNT.

BSP603S2LNT拓展信息

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