Infineon Technologies BSS119NH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

7 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 13μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

2.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 190mA, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20.9pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 10V

上升时间

3.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

18.8 ns

连续放电电流(ID)

190mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

漏源击穿电压

100V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅