Infineon Technologies BSS138WH6433XTMA1
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BSS138WH6433XTMA1
1211-BSS138WH6433XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
BSS138WH6433XTMA1详情
Infineon Technologies BSS138WH6433XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
124.596154mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
280mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
6.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS™
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
2.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 200mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
43pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
280mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.28A
漏源击穿电压
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
4.2 pF
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS138WH6433XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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