Infineon Technologies BSS169H6327XTSA1
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BSS169H6327XTSA1
1211-BSS169H6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSS169H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS169H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
170mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
360mW
接通延迟时间
2.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 170mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 50μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
68pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.8nC @ 7V
上升时间
2.7ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
170mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
6Ohm
场效应管特性
耗尽模式
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS169H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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