Infineon Technologies BSS223PWH6327XTSA1
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BSS223PWH6327XTSA1
1211-BSS223PWH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
BSS223PWH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS223PWH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
390mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
250mW Ta
Turn Off Delay Time
5.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-390mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.8 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 390mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1.5μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
56pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.62nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
390mA
阈值电压
-900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
-20V
反馈上限-最大值 (Crss)
22 pF
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSS223PWH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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