Infineon Technologies BSS87H6327XTSA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 260mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 108μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

97pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

240V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.29A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

DS 击穿电压-最小值

240V

反馈上限-最大值 (Crss)

7.3 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant