Infineon Technologies BSZ018NE2LSIXT

工厂交货时间

26 Weeks

包装/外壳

TSDSON-8

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25 V

Id - Continuous Drain Current

153 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Typical Turn-Off Delay Time

26 ns

Typical Turn-On Delay Time

5.5 ns

Part # Aliases

SP000906032 BSZ018NE2LSIATMA1

Unit Weight

0.001367 oz

Tradename

OptiMOS

Channel Mode

Enhancement

Pd - Power Dissipation

69 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Qg - Gate Charge

39 nC

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Rds On - Drain-Source Resistance

1.9 mOhms

Fall Time

3.4 ns

Forward Transconductance - Min

70 S

Continuous Drain Current Id

22

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ018NE2LSIXT

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.73

Drain Current-Max (ID)

22 A

包装

MouseReel

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4.4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.0025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.1 mm