Infineon Technologies BTS113AE3045ANTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TEMPFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 5.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

11.5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46A

DS 击穿电压-最小值

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant