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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥32.772289
10
¥30.917254
100
¥29.16722
500
¥27.516245
1000
¥25.958722
Infineon Technologies BTS244ZE3062AATMA2
- 收藏
- 对比
BTS244ZE3062AATMA2
1211-BTS244ZE3062AATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BTS244ZE3062AATMA2详情
Infineon Technologies BTS244ZE3062AATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
引脚数
5
供应商器件包装
PG-TO263-5-2
质量
1.59999g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
170W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TEMPFET®
已出版
2003
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
35A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
170W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13mOhm @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 130μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
70ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
漏源击穿电压
55V
输入电容
2.66nF
场效应管特性
温度传感二极管
漏源电阻
13mOhm
最大rds
13 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BTS244ZE3062AATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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