Infineon Technologies CY14B104M-ZSP25XI

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TSOP II-54

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

54

供应商器件包装

54-TSOP II

终端数量

54

RoHS

Details

Supply Voltage-Min

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Moisture Sensitive

有

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1080

Supplier Package

TSOP-II

Bus Type

Parallel

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY14B104

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TSOP2, TSOP54,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP54,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY14B104M-ZSP25XI

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.91

Part Package Code

TSOP2

Usage Level

Industrial grade

系列

CY14B104M

包装

Tray

操作温度

-40 to 85 °C

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

NVSRAM

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

3.3 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G54

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07 mA

访问时间

25 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16 Bit

组织结构

256Kx16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

密度

4 Mbit

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

组织的记忆

256K x 16

宽度

10.16 mm

长度

22.415 mm