Infineon Technologies CY14B104NA-ZSP45XI

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

54

供应商器件包装

54-TSOP II

终端数量

54

RoHS

Details

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

216

Unit Weight

0.020460 oz

Package

Tray

Base Product Number

CY14B104

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Number of Words

256K

Interface Type

Parallel

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Package Type

TSOP

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Dimensions

22.51 x 10.26 x 1.05mm

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP54,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY14B104NA-ZSP45XI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Package Description

TSOP2, TSOP54,.46,32

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.87

Part Package Code

TSOP2

系列

CY14B104NA

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G54

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.052 mA

访问时间

45 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16bit

组织结构

256KX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

组织的记忆

256K x 16

长度

22.51mm

高度

1.05mm

宽度

10.26mm