CY62167GN18-55BVXI
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Infineon Technologies CY62167GN18-55BVXI

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型号

CY62167GN18-55BVXI

utmel 编号

1211-CY62167GN18-55BVXI

商品类别

存储器

封装

VFBGA-48

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM MICROPOWER SRAMS

起订量

1最小包装量--

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CY62167GN18-55BVXI
CY62167GN18-55BVXI Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS

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CY62167GN18-55BVXI详情

Infineon Technologies CY62167GN18-55BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    VFBGA-48

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    48-VFBGA (6x8)

  • 终端数量

    48

  • RoHS

    Details

  • Maximum Clock Frequency

    -

  • Interface Type

    Parallel

  • Supply Voltage-Min

    1.65 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Memory Types

    Volatile

  • Moisture Sensitive

    有

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    4800

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    CY62167

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Supply Voltage-Max

    2.2 V

  • Package Description

    VFBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Access Time-Max

    55 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    CY62167GN18-55BVXI

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.71

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    MoBL®

  • 类型

    Asynchronous

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    1.65V ~ 2.2V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 内存大小

    16 Mbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    32 mA

  • 访问时间

    55 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2 M x 8/1 M x 16

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    55ns

  • 记忆密度

    16777216 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    2.2 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.65 V

  • 组织的记忆

    2M x 8, 1M x 16

  • 宽度

    6 mm

  • 长度

    8 mm

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技术文档: Infineon Technologies CY62167GN18-55BVXI.

CY62167GN18-55BVXI拓展信息

S80KS5122GABHI020
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Infineon Technologies

S80KS5123GABHB020
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CY62157G30-45ZSXAT
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S80KS2564GACHI040
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S70KL1283DPBHI020
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S25HS01GTFAMHI010
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S26HS01GTGABHI030
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S80KS2562GABHV020
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S80KS2562GABHI020
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S80KS2563GABHA020
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