Infineon Technologies CY62168EV30LL-45BVXI

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

VFBGA-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.2 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

960

Tradename

MoBL

Unit Weight

0.007873 oz

Package

Tray

Base Product Number

CY62168

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

VFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62168EV30LL-45BVXI

Number of Words

2097152 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62168EV30LL-45BVXI - SRAM, 16MBIT, 2M X 8BIT, 45NS, VFBGA-48

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.39

Part Package Code

BGA

包装

Tray

系列

CY62168EV30LL

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

内存大小

16 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

30 mA

访问时间

45 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 8/1 M x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

组织的记忆

2M x 8, 1M x 16

宽度

6 mm

长度

8 mm