参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
1 Week
包装/外壳
TSOP-44
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
44
供应商器件包装
44-TSOP II
终端数量
44
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
4.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
675
Unit Weight
0.015988 oz
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1041
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Dimensions
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Minimum Operating Supply Voltage
4.5 V
Timing Type
Asynchronous
Package Type
TSOP
Number of Words
256k
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Supply Voltage-Max
5.5 V
Package Description
TSOP2,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY7C1041GN-10ZSXI
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
2.13
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
3A991.B.2.A
类型
Asynchronous
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G44
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
4 Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
1MHz
电源电流-最大值
45 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256 k x 16
座位高度-最大
1.194 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
16bit
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
组织的记忆
256K x 16
宽度
10.26mm
高度
1.04mm
长度
18.51mm