Infineon Technologies CY7C1263KV18-400BZXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

272

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1263

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1263KV18-400BZXI

Number of Words

2097152 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.77

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

ECCN 代码

3A991

类型

Synchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, QDR II+

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

36 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400 MHz

访问时间

200 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

37748736 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

组织的记忆

2M x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm