Infineon Technologies CY7C1472BV33-167AXI

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TQFP-100

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

100

供应商器件包装

100-TQFP (14x20)

终端数量

100

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

167 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

3.135 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Unit Weight

0.023175 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

144

Moisture Sensitive

有

Memory Types

Volatile

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Clock Rate

167 MHz

Supplier Package

TQFP

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

3.135 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1472

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

3.4 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1472BV33-167AXI

Clock Frequency-Max (fCLK)

167 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.94

Part Package Code

QFP

Usage Level

Industrial grade

系列

CY7C1472BV33

包装

Tray

操作温度

-40 to 85 °C

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

167 MHz

电源电流-最大值

450 mA

访问时间

3.4 ns

内存格式

SRAM

数据率

SDR

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

4 M x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

22 Bit

密度

72 Mb

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3.135 V

组织的记忆

4M x 18

宽度

14 mm

长度

20 mm