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技术文档

Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM

Name: CY7S1061GE30-10BVM
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-CY7S1061GE30-10BVM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

CY7S1061GE30-10BVM

品牌

utmel 编号

1211-CY7S1061GE30-10BVM

商品类别

存储器

封装

VFBGA-48

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp

起订量

1最小包装量--

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CY7S1061GE30-10BVM详情

技术参数

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Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

VFBGA-48
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)
Shipping Restrictions

This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS

N
Supply Voltage-Min

2.2 V
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Maximum Operating Temperature

+ 85 C
Mounting Styles

SMD/SMT
Memory Types

SRAM
Moisture Sensitive

有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2400
Package

Tray
Base Product Number

CY7S1061
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
Supply Voltage-Max

3.6 V
包装

Tray
系列

CY7S1061
操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)
类型

带PowerSnooze的静态RAM
技术

SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V
内存大小

16 Mbit
电源电流-最大值

110 mA
访问时间

10 ns
内存格式

SRAM
内存接口

Parallel
组织结构

1 M x 16
写入周期时间 - 字符、页面

10ns
组织的记忆

1M x 16

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技术文档: Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM.

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