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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7737.581259
10
¥7299.604959
100
¥6886.419778
500
¥6496.622426
1000
¥6128.889081
Infineon Technologies DD250S65K3NOSA1
- 收藏
- 对比
DD250S65K3NOSA1
1211-DD250S65K3NOSA1
二极管 - 整流器 - 阵列
Module
大陆
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Trans IGBT Module 250A 4-pin A-IHV130-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DD250S65K3NOSA1详情
Infineon Technologies DD250S65K3NOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Screw, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
4
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
1000000W
包装
Tray
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-55°C
应用
GENERAL PURPOSE
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
370A @ 3600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
3.5V @ 250A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-50°C~125°C
无卤素
不含卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
6500V
集电极发射器电压(VCEO)
6.5kV
相位的数量
1
最大集电极电流
250A
Rep Pk反向电压-最大值
6500V
二极管配置
2 Independent
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
DD250S65K3NOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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